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簡(jiǎn)要描述:900nm-2600nmPD探測(cè)器2微米探測(cè),探測(cè)波長(zhǎng)范圍900nm-2600nm,光敏面 1mm大球管帽有利于收光
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900nm-2600nmPD探測(cè)器
2微米探測(cè),探測(cè)波長(zhǎng)范圍900nm-2600nm,
光敏面 1mm
大球管帽有利于收光
廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)接收端
1742nm 氯化氫
2004nm 二氧化碳
2121.8nm 一氧化碳
2122nm N2O
2326.8nm 氫氣
InGaAs(銦鎵砷)是一種重要的半導(dǎo)體材料,廣泛應(yīng)用于光電探測(cè)領(lǐng)域,尤其在高速探測(cè)、紅外成像和氣體分析中表現(xiàn)突出。其器件具有寬光譜響應(yīng)范圍(400-2600 nm)、高量子效率及小型化封裝等特點(diǎn),近年來在超薄結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和技術(shù)集成方面取得顯著進(jìn)展。
1. 材料特性與核心應(yīng)用
InGaAs由銦、鎵、砷元素組成,能帶結(jié)構(gòu)可調(diào),可實(shí)現(xiàn)可見光到短波紅外(SWIR)的寬光譜探測(cè)。傳統(tǒng)探測(cè)器通常覆蓋800-1700 nm波長(zhǎng),適用于光纖通信、激光雷達(dá)和氣體檢測(cè)(如CH4、CO2分析、H2氫氣分析)。新型設(shè)計(jì)通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化,將響應(yīng)范圍擴(kuò)展至400-2600 nm,增強(qiáng)了多場(chǎng)景適用性。
2. 主流產(chǎn)品類型及封裝
市場(chǎng)上InGaAs探測(cè)器產(chǎn)品多樣化,包括:
TO5封裝(2mm直徑):適用于工業(yè)級(jí)高靈敏探測(cè);
TO-CAN封裝(500μm或1mm光敏面):體積小、成本低,適合集成化設(shè)備;
TO46平窗封裝(1mm直徑):兼顧透光性與機(jī)械強(qiáng)度。不同封裝滿足從實(shí)驗(yàn)室到工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的多層次需求,價(jià)格跨度從幾十元到數(shù)萬元不等,深圳等地為主要銷售集散地。
900nm-2600nmPD探測(cè)器,實(shí)物圖如下:
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